据6月29日消息，在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上，中国工程院院士丁荣军表示，以碳化硅（包括Si-IGBT与SiC二极管结合的技术）已经开始应用，具有巨大的性能和市场潜力，未来十年将实现20%以上的快速增长。丁荣军指出，在电动汽车应用驱动、性价比权衡、消费者惯性等因素影响下，Si-IGBT未来十年仍将是功率半导体器件主流，并存长期使用碳化硅功率器件。